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NPE-4000(ICPM)ICPECVD等离子体化学气相沉积系统: NM的PECVD能够沉积高质量SiO2, Si3N4, 或DLC膜到Z大可达12“ 的基片.淋浴头电极或中空阴极射频等离子源,样品台通过RF或脉冲DC产生偏压。可支持加热和冷却.使用250l/sec涡轮分子泵及3.5 cfm的机械泵,真空可低至10-7 torr。标准配置含1路惰性气体、3路活性气体和4个MFC。
NPE-4000(ICPA)全自动ICPECVD等离子体化学气相沉积系统: NM的PECVD能够沉积高质量SiO2, Si3N4, DLC膜到Z大可达6“ 基片.淋浴头电极或中空阴极射频等离子源,样品台通过RF或脉冲DC产生偏压。可支持加热和冷却.使用250l/sec涡轮分子泵及3.5 cfm的机械泵,真空可低至10-7 torr。标准配置含1路惰性气体、3路活性气体和4个MFC。
NSC-1000磁控溅射系统:带有水冷或者加热(Z高可加热到700度)功能,Z大到6“旋转平台,Z大可支持到2个偏轴平面磁控管。系统配套涡轮分子泵,极限真空可达10-7 Torr,15分钟内可以达到10-6 Torr的真空。通过调整磁控管与基片之间的距离,可以获得想要的均匀度和沉积速度。
NSC-3000(M)磁控溅射系统:带有水冷或者加热(Z高可加热到700度)功能,Z大到6“旋转平台,Z大可支持到3个偏轴平面磁控管。系统配套涡轮分子泵,极限真空可达10-7 Torr,15分钟内可以达到10-6 Torr的真空。通过调整磁控管与基片之间的距离,可以获得想要的均匀度和沉积速度。
NSC-3000(A)全自动磁控溅射系统:台式自动系统,带有水冷或者加热(Z高可加热到700度)功能,Z大到6“旋转平台,Z大可支持到3个偏轴平面磁控管。系统配套涡轮分子泵,极限真空可达10-7 Torr,15分钟内可以达到10-6 Torr的真空。通过调整磁控管与基片之间的距离,可以获得想要的均匀度和沉积速度。