NLD-3000原子层沉积系统：ALD原子层沉积可以满足精确膜厚控制以及高深宽比结构的保形沉积，这方面ALD原子层沉积远超过其它沉积技术。由于前驱体流量的随意性不会带来影响，所以在ALD原子层沉积中有序、自限制的表面反应将会带来非统计的沉积。这使得ALD原子层沉积膜保持高度的光滑、连续以及无孔的特性，可以提供的薄膜性能。ALD原子层工艺也可以实现到大基片上。

NPD-4000（M）PLD脉冲激光沉积系统：脉冲激光束聚焦在固体靶的表面上。固体表面大量吸收电磁辐射导致靶物质快速蒸发。蒸发的物质由容易逃出与电离的核素组成。若果溶化作用在真空之下进行，核素本身会即时在靶表面上形成光亮的等离子羽状物。激光加热方法特别适用于蒸发那些成分比较复杂的合金或化合物材料，比如近年来研究较多的高温超导材料YBa2Cu3O7等。

NPD-4000（A）全自动PLD脉冲激光沉积系统：脉冲激光束聚焦在固体靶的表面上。固体表面大量吸收电磁辐射导致靶物质快速蒸发。蒸发的物质由容易逃出与电离的核素组成。若果溶化作用在真空之下进行，核素本身会即时在靶表面上形成光亮的等离子羽状物。激光加热方法特别适用于蒸发那些成分比较复杂的合金或化合物材料，比如近年来研究较多的高温超导材料YBa2Cu3O7等。

NMC-4000PAMOCVD等离子辅助MOCVD：针对InGaN及AlGaN沉积工艺所研发的台式等离子辅助金属有机化学气相沉积系统（PA-MOCVD）,该系统具有5个鼓泡装置（各带独立的冷却槽）、加热的气体管路、950度样品台三个气体环、淋浴式气体分布的RF射频等离子源以及工艺终端的N2冲洗、 250l/sec涡轮分子泵及无油真空泵（5 x 10-7Torr极限真空）、PC全自动控制，*的安全

NMC-3000 PAMOCVD系统：针对InGaN及AlGaN沉积工艺所研发的台式等离子辅助金属有机化学气相沉积系统（PA-MOCVD）,该系统具有5个鼓泡装置（各带独立的冷却槽）、加热的气体管路、950度样品台三个气体环、淋浴式气体分布的RF射频等离子源以及工艺终端的N2冲洗、250l/sec涡轮分子泵及无油真空泵（5 x 10-7Torr极限真空）、PC全自动控制。